взаимодействия – характеристика пролетных электронов (вырожденной эмиссионной плазмы, электронного газа), то есть корпускул (см. дуализм квантово-волновой), соответственно, в рассматриваемых нами восстановителях, щелочных металлах, на примере натрия электроны – волны (когерентное поле).
Вырожденная плазма диффундирует, соответственно, вводим в ЭУ внешнее управление потоком электронов (пример – линзы магнитные), ловушки магнитные, соответствующую частотную настройку поля, сопротивления выходу электронов за пределы пленки, далее есть давление внешнего электромагнитного поля, взаимодействие с магнитным полем вихревых токов.
Учитывая пролетные свойства электронного газа, вырожденной плазмы, энергетическое устройство находится в периодически действующей магнитной ловушке.
Частоты релятивистской лампы обратной волны (лазера) – 2,45 ГГц (2400 МГЦ) ÷ 2 ТГц (3 ТГц) до максимально близкорасположенных к инфракрасной области электромагнитного спектра либо излучение ЛОВ частично входит в тепловую область.
Глава пятнадцатая
Методы электронной эмиссии
Туннельная эмиссия электронов на поверхность экрана эмиттера в процессе взаимодействия массива с внешним когерентным электромагнитным полем, внешнее электромагнитное поле уменьшает величину энергетического барьера, изменяет форму энергетического барьера.
Электронная эмиссия на поверхность туннельного полупроводника в процессе взаимодействия с внешним акустическим полем, УЗ эмиссия.
Магнитная эмиссия, внешнее ЭМ СВЧ когерентным полем генерируем в пластине СП, аккумулирующей электронный газ, электрический ток, бозоновская жидкость вытесняет магнитное поле к поверхности СП, далее магнитное поле вытесняет лептоны туннельного ПК к поверхности, процесс магнитного вытеснения ПК есть покрытие на поверхности СП, СВЧ инициирует ток соответственно в СП, ПК (метод короткоимпульсного преодоления магнитного барьера в СП см. выше).
Синергетическая туннельная эмиссия электронов в процессе упорядочивания магнитной структуры магнитного СП (ПК) внешним когерентным электромагнитным полем есть процесс увеличения проводимости и уменьшения энергетического барьера в магнитном полупроводнике, далее электронный газ туннелирует на поверхность. Взрывная туннельная эмиссия электронов в вакууме.
В процессе охлаждения испаряемое далее в процессе взрывной туннельной эмиссии электронов соединение переходит в твердое проводящее ток состояние, далее в процессе взаимодействия с импульсом электромагнитного поля в вакууме есть взрывная эмиссия льда, далее лизис, так что, учитывая квантовый эффект, энерготрата меньше.
Процесс взрывной электронной туннельной эмиссии электронов охлажденного металлического адсорбента данного лизируемого соединения, взрывная эмиссия амальгамы палладия,
