внимание исследователей в плане осуществления высокоэффективного преобразования солнечной энергии в электрическую.
Определяющей характеристикой солнечных фотоэлектрических установок и каскадных солнечных элементов является максимальное значение КПД, которое меняется с течением времени в сторону повышения в результате совершенствования технологии изготовления, улучшения свойств исходных материалов и наращивания многослойности элементов. Широко применяемые однослойные поликристаллические солнечные элементы на подложке из кремния характеризуются КПД до 20%, двухслойные элементы на той же подложке – до 30%, трехслойные – до 40%. Аморфные солнечные элементы обеспечивают КПД до 10%, однослойные солнечные элементы на основе AsGa – до 40%. Считается, что солнечные элементы на основе арсенида галлия наиболее перспективны.
На КПД солнечных элементов в значительной степени влияют такие факторы, как каскадность (количество слоев) солнечного элемента и наличие концентраторов солнечного излучения. В настоящее время для экспериментального однослойного солнечного элемента удалось достигнуть КПД 37%; для двухслойного и трехслойного солнечных элементов этот показатель превысил 50%, а для четырехслойного – 72% при коэффициенте концентрации на уровне 1000.
Некоторые ученые полагают, что в четырех-, пяти-, а может быть, и в еще более многокаскадных структурах можно существенно повысить КПД фотоэлемента. Для реализации этой цели нужны новые материалы высокого качества, такие элементы нового поколения, как например, на базе материалов А3B5. К полупроводниковым материалам А3В5 относятся соединения бора, алюминия, галлия и индия с азотом (нитриды), фосфором (фосфиды), мышьяком (арсениды) и сурьмой (антимониды).
Отметим, что для широкозонных нитридов уже существует значительный технолотический задел. Однако для КСЭ требуются скорее узкозонные материалы, в большей степени согласованные по типу и периоду решетки с материалами, уже работающими в трехкаскадных структурах. Такими материалами могут быть, например, твердые растворы GalnNAs, интенсивно изучаемые в настоящее время.
Предполагаемой альтернативой перспективы развития солнечных фотоэлементов может быть использование материалов на основе наногетероэпитаксиальных структур. При этом дизайн солнечного элемента значительно упрощается, так как солнечный элемент на основе многослойных наногетероэпитаксиальных структур однокаскадный. Чтобы изготовить такой солнечный элемент необходимы два полупроводниковых материала: матричный (широкозонный) и узкозонный
В узкозонном полупроводнике вблизи границы раздела может образовываться инверсионный слой, играющий роль потенциально ямы для электронов, в которой существуют уровни размерного квантования. Важнейшим достоинством гетероперехода является высокое качество гетерограницы, которое можно добиться выбором в качестве компонент гетеропары веществ с хорошим согласием постоянных решетки. Примером такой гетеропары являются узкозонный GaAsи и широкозонный твердый раствор
