Иллюстратор Боходир Хошимович Каримов
Дизайнер обложки Ибратжон Хатамович Алиев
Дизайнер обложки Раънохон Мукарамовна Алиева
Дизайнер обложки Боходир Хошимович Каримов
Научный руководитель Боходир Хошимович Каримов
Заместитель Научного руководителя Султонали Мукарамович Абдурахмонов
Экономический руководитель Фаррух Муроджонович Шарофутдинов
Экономический консультант Ботирали Рустамович Жалолов
Корректор Гульноза Мухтаровна Собирова
Корректор Абдурасул Абдусолиевич Эргашев
Корректор Екатерина Александровна Вавилова
© Ибратжон Хатамович Алиев, иллюстрации, 2023
© Оббозжон Хокимович Кулдашов, иллюстрации, 2023
© Султонали Мукарамович Абдурахмонов, иллюстрации, 2023
© Боходир Хошимович Каримов, иллюстрации, 2023
ISBN 978-5-0060-3900-1 (т. 4)
ISBN 978-5-0059-5898-3
Создано в интеллектуальной издательской системе Ridero
ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ
ОПТИЧЕСКАЯ И ЗВУКОВАЯ ПАМЯТЬ В КРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ
УДК 535.215.31
Каримов Боходир Хошимович
Кандидат физико-математических наук, доцент физико-технического факультета Ферганского государственного университета
Каримов Шавкат Боходирович
Соискатель физико-технического факультета Ферганского государственного университета
Алиев Ибратжон Хатамович
Студент 3 курса факультета математики-информатики Ферганского государственного университета
Ферганский государственный университет, Фергана, Узбекистан
Аннотация. Фото-ЭДС (или фотонапряжение) в полупроводниках независимо от ее природы не может превышать ширину запрещенной зоны, т.е. несколько Вольт/см.
Ключевые слова: фото-ЭДС, фотовольтаический ток, кристаллы без центра симметрии, полупроводники, тензоры третьего ранга, энергии уровня Ферми.
Annotation. PHOTOEDC (or photovoltage) in semiconductors, regardless of its nature, cannot exceed the band gap width, i.e. several volts/cm.
Keywords: PHOTOEDC, photovoltaic current, crystals without a center of symmetry, semiconductors, third-rank tensors, Fermi-level energies.
Например, в однородном полупроводнике Демберовское (диффузионное) фото напряжение для сколь угодно большой интенсивности возбуждающего света не превышает значения [1].
(1)
где Eg – ширина запрещенной зоны полупроводника, n1 и n0 – соответственно неравновесная и равновесная концентрации носителей, Nc – плотность состояний.
Другим примером может служить возникающие фотонапряжение при освещении p-n —перехода [2].
(2)
которое также не превышает Eg. Здесь nn и pp – соответственно концентрации электронов в n – области и дырки в р – области. EFn и EFp – энергии уровня Ферми в n – и р – областях.
Исключение из этого правила составляли лишь полупроводниковые текстуры в которых наблюдается эффект аномально больших фото напряжений (АФН эффект), обусловленный сложением элементарных фото-ЭДС Дембера (1) или элементарных фото-ЭДС (2), развивающихся на отдельных р-n —переходах текстуры [3].
В таких текстурах из напыленных слоев CdTe, Ge, Si, GaAs, PbS, CdSe и т. д. фото напряжения могут достигать значений порядка нескольких сотен Вольт на сантиметр длины в направлении сложения элементарных фото-ЭДС (1) или (2).
В последние годы стало ясно, что в термодинамических неравновесных условиях возможны токи иной природы, обусловленные отсутствием среды центра симметрии. Важнейшим этого класса эффекта является аномальный фотовольтаический эффект (АФ эффект).
АФ эффект заключается в том, что при равномерном освещении короткозамкнутого сегнетоэлектрика через него протекает стационарный ток, который в [4,5] был назван фотовольтаическим. Было показано, что именно фотовольтаический ток приводит к аномальному фотовольтаическому эффекту (АФ эффект) в сегнетоэлектрике.
Аномальный фотовольтаический эффект,
