порогового устройства – 14 подается на один из входов схемы совпадения – 15. На другой вход схемы совпадений – 15 подается сигнал с выхода второго дифференцирующего устройства – 16. С момента сравнения на выходе схемы совпадений – 15 появляется ряд импульсов, которые поступают на счетный вход счетчика – 17. В начале следующей экспоненты на вход «Установка нуля» счетчик – 17 поступают прямоугольные импульсы с выхода одновибратора – 4 и счетчика – 17 подготавливается к следующему циклу.
Сравнение амплитуд опорного и измерительного потоков излучения с применением порогового устройства обеспечивает точность измерения устройства контроля геотермальных газов на основе полупроводниковых излучателей.
Литература
1. Ахмедов Г. Я. Защита геотермальных систем от карбонатных отложений. М.: Научный мир, 2012.
2. Kiseleva S. V., Kolomiets Y. G., and O. S. Popel’, «Assessment of solar energy resources in Central Asia,» Appl. Sol. Energy (English Transl. Geliotekhnika), 2015, doi: 10.3103/S0003701X15030056.
ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В a- КВАРЦЕ
УДК 548.1.024.5
Каримов Боходир Хошимович
Кандидат физико-математических наук, доцент кафедры «Технологического образования» физико-технического факультета Ферганского государственного университета
Ферганский Государственный университет, Фергана, Узбекистан
Аннотация. Аномальный фотовольтаический эффект, наблюдавшийся ранее для сегнетоэлектриков Li bO3:Fe SbSJ, является частным случаем более общего ФЭ существующего в кристаллах без центра симметрии и описываемого тензорам третьего ai j k.
Ключевые слова: фотовольтаический эффект, сегнетоэлектрики, тензор, компоненты тензора.
Annotation. The anomalous photovoltaic effect observed earlier for LibO 3:Fes ferroelectrics is a special case of a more general FE existing in crystals without a center of symmetry and described by the third ai j k tensors.
Keywords: photovoltaic effect, ferroelectrics, tensor, tensor components.
Компоненты тензора aijk отличны от нуля для 20 ацентричных точечных групп симметрии. При равномерном освещении линейно поляризованным светом однородного кристалла пьезо и сегнетоэлектриков в нем возникает фотовольтаический ток. Знак и величина фотовольтаического тока зависит от ориентации вектора поляризации света с компонентами Еj и Ek*, направлением его распространения и симметрией кристалла.
В соответствии (I) и симетрией точечной группы можно написать выражение для фотовольтаического тока. Сравнение экспериментальной уголовной зависимости с (β) позволяет определять фотовольтаического тензора aajk или фотовольтаических коэффициентов
(a*– коэффициент поглощения света).
Если электроды кристалла разомкнуть, фотовольтаический ток генерирует фотонапряжение 103—105 B. величина которое может на несколько порядок превышать ширину запрещенной зоны пьезо или сегнетоэлектриков. В центросимметричных кристаллах
