cadmium telluride, semiconductor elements, photovoltaic devices, efficiency, production technology, industrialization.
Фотоэлектрические элементы, как известно, основывающиеся на методе генерации электрической энергии благодаря малой энергии, которую необходимо прикладывать в лице того или иного излучения, действуют по законам фотоэлектрических явлений (частные уравнения) (1—2).
И прежде чем давать некоторые выводы относительно того или иного элемента, признаваемое как основное для создаваемого полупроводникового элемента, стоит рассмотреть настоящее химические соединение по самым различным его параметрам. В данном случае на роль такого соединения выходит теллурид кадмия (Рис. 1), являющееся бинарным соединением кадмия и теллура, а также считаемый полупроводником 2-а и 6-б группы с шириной запрещённой зоны при температурах в 300 К в 1,49 эВ.
Рис. 1. Кристалл теллурида кадмия
Применение этого элемента на данный момент действительно популярно при создании солнечных батарей, детекторов ионизирующего излучения и фотоприёмников, однако математическая база этих явлений всё также требуют рассмотрения. Этот материал при обычном своём состоянии является твёрдым с молярной массой в 240,01 г/моль и плотностью 5,85 г/см3, обладает после своего образования температурой плавления 1092 градуса по Цельсию с кубической структурой или структурой сфалерита, также популярный в народе как цинковая обманка.
У образованного материала коэффициент линейного теплового расширения составляет 5,9*10—6 1/К при достижении значения температур в 293 К. Модуль Юнга у такого материала достигает 52 Гпа с коэффициентом Пуассона 0,41. Ещё одним, для некоторых случаев благоприятных моментов является обстоятельство его прозрачности для инфракрасного излучения от 830 нм, однако отрицательным в случае необходимости детектирования подобного рода классов излучений. Необходимо отметить, что это излучение, зависимое от энергии, близкой к ширине запрещённой зоны материала в 1,5 эВ при 300 К, что и становится причиной его прозрачности для такого рода излучений, соответствующие 20 мкм.
Рис. 2. Смещение спектров флуоресценции в теллуриде кадмия
Данный элемент кроме того обладает свойством флуоресценции, но достигает своего пика только при 790 нм. Настоящий закон действенен только для массивных кристаллов, когда же их размер сравнительно уменьшается и может доходить до состояния приведения в квантовые точки, пик флуоресценции начинает смещаться на определённое значения, находясь уже на ультрафиолетовый диапазон. Больше всего эту зависимость олицетворяет спектр флуоресценции теллурида кадмия для различных размеров, где размер коллоидных частиц увеличивается примерно от 2 до 20 нм, а в лице причины такого смещения пика представляется некоторая квантовая яма (Рис. 2).
Среди химических свойств этого соединение не стоит говорить довольно много и вполне достаточно отметить, что он плохо растворяется в воде, имеет свойство взаимодействия даже со слабыми кислотами с выделением теллуроводорода и образованием
