Несостоявшаяся информационная революция. Условия и тенденции развития в СССР электронной промышленности и средств массовой коммуникации. Часть I. 1940–1960-е годы. Николай Симонов

Чтение книги онлайн.

Читать онлайн книгу Несостоявшаяся информационная революция. Условия и тенденции развития в СССР электронной промышленности и средств массовой коммуникации. Часть I. 1940–1960-е годы - Николай Симонов страница 10

Несостоявшаяся информационная революция. Условия и тенденции развития в СССР электронной промышленности и средств массовой коммуникации. Часть I. 1940–1960-е годы - Николай Симонов

Скачать книгу

средний срок службы радиолампы-триода за 500 часов, при количестве ламп в одном устройстве 5000 шт., в среднем каждые 10 минут следовало ожидать отказ, по крайней мере, одной радиолампы.

* * *

      Вакуумной радиолампе требовалась более компактная, экономичная и надежная замена. И она в 1948 г., наконец, нашлась в виде транзистора (от англ. transfer resistor – трансформатор сопротивлений) – полупроводникового электронного прибора, управляющего током в электрической цепи за счёт изменения входного напряжения.

      Транзистор – материальная основа и элементная база второй «электронной революции».

      В конструкции радиоприемника транзистор способен выполнять ту же функцию, что и радиолампа-триод (или пентод). В других электронных устройствах, например ЭВМ, несколько транзисторов, соединенных по определенной схеме, выполняют функцию переключательных (логические вентили) и запоминающих (триггеры) устройств.

      Транзисторы, изготовленные из прозрачного полупроводникового материала, это – светодиоды, способные заменить лампы накаливания. Светодиоды механически прочны и исключительно надежны, срок их службы может достигать 100 тыс. часов, что почти в 100 раз больше, чем у обычной электрической лампочки.

      Транзистор, имеющий два устойчивых состояния: низкой проводимости и высокой проводимости, – это – тиристор – преобразователь переменного тока, способный заменить ртутные выпрямители (игнитроны).

      Экспериментально во всех полупроводниках (и интерметаллических соединениях), при условии внедрения в них некоторых примесей, например, мышьяка или сурьмы, обнаруживается присутствие двух электрических токов. Первый обусловлен вытолкнутыми из атомов свободными электронами и называется электронным (n-тип, от англ. negative – отрицательный). Второй объясняется движением электронов, связанных с атомами. Он называется дырочным (p-тип, от англ. positive – положительный). На границе раздела областей с различными типами электропроводимости образуется запирающий слой (англ. barrier layer). Благодаря этому слою, для одних токов транзистор ведет себя как проводник, а для других – как изолятор. Простейший биполярный транзистор имеет в своей структуре два взаимодействующих p-n-перехода и три внешних вывода: эмиттер, базу и коллектор. Эмиттеру, базе и коллектору соответствуют катод, сетка и анод трехэлектродной радиолампы – триода.

      Соединение разнородных по химическому составу или фазовому состоянию транзисторов позволяет создавать сложные гетероструктурные p-n переходы, посредством которых, например, функционируют полупроводниковые лазеры в современных проигрывателях компакт-дисков.

      Изобретателями транзистора считаются сотрудники Bell Labs Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Бреттейн, в 1956 г. удостоенные Нобелевской премии по физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта».

      Дата рождения транзистора 16 декабря 1947 г. В этот день в одной из лабораторий Bell Labs заработал твердотельный

Скачать книгу