на бытовую аппаратуру: «Сильное магнитное поле может повредить электронное оборудование и магнитные носители информации. Постоянный контакт электроники с магнитным изделием приводит к необратимым поломкам. Не держите магнитные изделия вблизи электронного оборудования, компьютерных дисков, кредитных карт, видеолент, и других магнитных СМИ». [1 1]
Более мощное магнитное поле, магнитное воздействие на обычную электропроводку приводит совсем к необычным последствиям: «Оказалось, что большой интерес представляет изучение изменения сопротивления различных металлов в сильных магнитных полях; в некоторых случаях возрастание сопротивления составляло от 20 до 30 процентов, в то время как в обычных полях возрастание не превышало долей процента. Более того, мы обнаружили, что в сильных полях наблюдается линейный закон возрастания сопротивления с возрастанием поля, в то время как в обычных полях возрастание сопротивления пропорционально квадрату поля. Мы измерили также магнитную восприимчивость различных металлов в сильных полях. Для этой цели были разработаны и сконструированы специальные весы с собственной частотой около 2000—3000 колебаний в секунду. Так как в наших опытах магнитные силы были примерно в 100 раз больше, чем обычно, то весы были достаточно чувствительны, чтобы измерять восприимчивость большинства веществ.
Другим направлением исследований явилось изучение магнитострикции. В обычных полях это явление известно лишь для ферримагнитных веществ, но в сильных полях мы обнаружили, что оно достаточно заметно в различных других веществах, таких как висмут, олово и графит, которые имеют кристаллическую структуру низкой симметрии. Кристаллы висмута в сильных магнитных полях растягиваются в направлении тригональной оси и сжимаются в направлениях, перпендикулярных к ней». [12]
Другими словами, магнитное, мощное поле Юпитера могло легко привести к возрастанию сопротивления в электронном оборудовании, с последующей ее поломкой.
О влиянии радиации, в данном случае радиации Радиационных Поясов Юпитера на электронное оборудование: « Действие радиации на конструкционные материалы изделий электронной техники
В настоящее время установлено [26—36], что фундаментальные параметры реальных кристаллов (электро- и теплопроводность, механические, оптические и магнитные свойства, коэффициенты диффузии и др.) связаны с точечными дефектами. Следовательно, эти дефекты (и их вторичные образования) будут определять комплекс электрических параметров тех элементов электронной техники, основой которых является кристаллическая структура.
В результате воздействия ядерных излучений во всех твердых телах независимо от типа структуры могут происходить смещения атомов с образованием вакантных узлов и внедренных атомов. По мере накопления этих дефектов, когда их количество становится сравнимым с исходным количеством, присущим этому материалу или изделию,
