style="font-size:15px;"> Для корпуса ЭУ – титановый криосплав. Материал полусферических камер плазмокаталитической выработки водорода, устойчивый к воздействию крио и температур в интервале термолиза воды в тонкой пленке на вращаемом экране туннельном эмиттере электронной плазмы.
Выбор конструкционного материала тепловой и СВЧ изоляции камер СВЧ плазмокаталитической выработки водорода, термоэмиссионного преобразователя тепловой энергии горения водорода в электрическую энергию.
Теплопроводность титановых сплавов, конструкционных материалов корпуса ЭУ, полусферических камер СВЧ плазмокаталитической выработки водорода и нижних полуконических частей данных камер соответствует параметрам работы ЭУ, соответственно, прямое соприкосновение газовой смеси водорода с кислородом со стенками корпуса и внутренними частями ЭУ приведет к разогреву поверхностей. Исходя из этого, мы применяем соответствующий критериям безопасности термо- и СВЧ-изолирующий, защищающий стенки ЭУ от разогрева газовой смесью и СВЧ полем материал.
Глава одиннадцатая
Техническое обоснование применения квантовых генераторов ЭМ СВЧ поля в процессе туннельной электронной плазмы, катализатора процесса лизиса воды в тонкой пленке
СВЧ ЭМ излучение квантового генератора (мазера) в том числе отличается от поля, образуемого устройствами не квантовой страты.
Так как ЭМ поле квантового генератора когерентно, то взаимодействие излучения генератора с применяемым в ЭУ плазмокаталитического лизиса воды в тонкой пленке с туннельным ПК покрытием вращаемого экрана эмиттера электронной плазмы отличается от взаимодействия c СВЧ ЭМ полем, образуемым генераторами, не квантовыми в страте. Мы применяем когерентность СВЧ ЭМ поля генератора, так как выход плазмы, процесс туннельной эмиссии электронного газа на поверхность ПК выше во взаимодействии ПК туннельного покрытия эмиттера данным полем.
Взаимодействие тонкой структуры когерентного СВЧ ЭМ квантового генератора (лазера) с электронными уровнями ПК характеризуется более эффективным поглощением энергии поля, так как плотность соответствий максимумов и минимумов организованной тонкой структуры когерентного поля по сравнению с шумообразным с соответствующими частями тонкой структуры энергетических уровней ПК выше, и исходя из этого резонанс тонких волновых структур, поля с энергетическим уровнем, в объеме туннельного ПК покрытия интенсивнее, соответственно, больше выход электронной плазмы. То есть, применяя мазер, при меньшей затрате энергии мы имеем заданное количество каталитической электронной плазмы и больше выход плазмы с единицы поверхности туннельного ПК покрытия эмиттера.
Выбор квантового генератора, соответствующего техническим параметрам ЭУ. Применяем мазер на циклотронном
