что оптическая активность кристалла α-HgS сильнее влияет на угловой распределение фотовольтаического тока, измеренного в линейно поляризованном свете.
Рис. 3. показывает ориентационную зависимость фотовольтаического тока Jx (β) в α-HgS. В соответствии с (1) и симметрией точечной группы 32, выражение для Jx (β) при освещении в направлении оси y имеет вид
где – угол между плоскостью поляризации света и осью x.
Сравнение экспериментальной угловой зависимости Jx (β) с (2) дает
К11= (1—2) ∙10—9А∙см∙ (Вт) -1 (Т=133Κ, λ=500нм). Совпадение экспериментальной угловой зависимости Jx (β) с (2) показывает, что в области сильного поглощения (λ=500нм, α*>> 100см-1) влияние оптической активности в направлении оси y на угловое распределение Jx (β) является незначительным. Влияние оптической активности в z- направлении было обнаружено при исследовании угловой зависимости Jx (β) в различных спектральных областях (рис.1).
В соответствии с (1) угловая зависимость Jx (β) приосвещение в z – направлении (ось z совпадает с осью симметрии третьего порядка) имеет вид.
где β – угол между плоскостью поляризации света и осью y.
Рис.2 указывает на хорошее соответствие между экспериментальной зависимостью Jx (β) и (3) в области сильного поглощения света (λ= 400нм). Переход из коротковолновой области в длинноволновую, соответствующий уменьшению α*, изменяет характер угловой зависимости Jx (β) и ее амплитуду.
Рис.3. Ориентационная зависимость фотовольтаического тока Jx (β) в a-HgS (T=1330K).
На рис.4 представлена спектрально-угловая диаграмма фотовольтаического тока Jx. Очевидно, что ее форма определяется оптического активностью в z- направлении, ее спектральной дисперсией, а также спектральным распределением фотовольтаического эффекта в α-HgS.
Оптическая зависимость в z – направлении приводит, таким образом, к образованию структуры пространственного осциллирующего фотовольтаического тока Jx. Фотовольтаический ток осциллирует в z- направлении с периодом
Где χ – коэффициент оптической активности.
Угловая зависимость Jx (β) совпадает с (3) только при условии сильного поглощения света
где α*– коэффициент поглощения света.
Рис. 4. Спектрально – угловая диаграмма фотовольтаического тока в a-HgS (T=1330K). Направление распространения света указано в верхней части рисунка.
Примечание: Коллегия авторов приносит благодарности В. А. Кузнецову за предоставление кристаллов и В. М. Фридкину за обсуждение.
Литература
1. Glass A.M.Voh der Linbe D. Nerren T.J. High- voltage Bulk Photovoltaik ettect and the Photorefractive process in LiNbo. //J. Appl. Phys. Lett.
