Жалолов Б. Р. Реализация и научные публикации по проекту «Электрон». Все науки. – №1. Научная школа «Электрон», Издательские решения. Ридеро, 2022. – С. 23—28.
ИССЛЕДОВАНИЯ ВЛИЯНИЯ γ-РАДИАЦИИ И ЛАЗЕРНОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА КИНЕТИЧЕСКИЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОЛИ-КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЁНОК УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
УДК 548
Юсупова Дильфуза Аминовна
Кандидат физико-математических наук, доцент физико-технического факультета Ферганского государственного университета
Ферганский государственный университет, Фергана, Узбекистан
Аннотация: В работе приведены результаты исследования влияния лазерного излучения на кинетические характеристики поликристалли-ческих пленок узкозонных полупроводников халькогенидов свинца и висмута. Приведены результаты измерений проводимости, концентрации дырок и коэффициента термоЭДС в пленках под воздействием лазерных импульсов.
Ключевые слова: поликристаллическая пленка, лазерное излучение, халькогениды свинца и висмута, проводимость, концентрация носителей, коэффициент термо-ЭДС.
Abstract: The paper presents the results of a study of the effect of laser radiation on the kinetic characteristics of polycrystalline films of narrow-band semiconductors of lead and bismuth chalcogenides. The results of measurements of conductivity, hole concentration and thermal EMF coefficient in films under the influence of laser pulses are presented.
Keywords: polycrystalline film, laser radiation, lead and bismuth chalcogenides, conductivity, carrier concentration, thermo-EMF coefficient.
Лазерная обработка, нанесённых на подложку тонких пленок применяется для формирования пленочных элементов, широко используемых в приборостроении и микроэлектронике. Лазерная обработка тонких пленок отличается высокой точностью и локальностью, бесконтактностью, хорошей управляемостью и в большинстве случаев достаточной производительностью. В современной технологии полупроводниковых приборов все большое значение приобретают методы обработки материалов c использованием ионизирующих излучений [1]. Особое внимание уделяется модификации свойств слоев под действием коротких лазерных импульсов, когда наряду с обыкновенным тепловым разогревом пленок, возможно влияние факторов, имеющих нетепловую природу.
Физические механизмы действия лазерного излучения на тонкие пленки во многом аналогичны действию излучения на массивные материалы, но обладают некоторыми особенностями.
В настоящей работе приведены результаты исследований влияния g-радиации и лазерного облучения на кинетических коэффициенты поликристаллических плёнок узкозонных полупроводников. Объектами исследований явились поликристаллические слои халькогенидов свинца и висмута и их соединения полученных термовакуумной конденсацией в различных технологических условиях. Подложками служили кварц, полиимид (ПМ-1) и слюда. Толщина полученных плёнок составляла 0,3¸4 мкм. Облучение плёнок производилось g-квантами Со60 и промышленным лазером ГИГ-1М (D=15Дж, tимп=50 нс) на воздухе и в вакууме. Проведены измерения электропроводности, коэффицента Холла и термоэдс.
Проведенные
