структурные изменения при ЛО наблюдались в пленках полученных на слюде при Тс=570К, т.е. при более высоких температурах конденсации. Здесь обнаруживается рост монокристальных фрагментов, размер которых во много раз превышал размеры кристаллитов в исходных необлученных конденсатах.
Процессами, ответственными за кристаллизационные явления, на наш взгляд, являются частичное плавление конденсатов при лазерном облучении (частичное, так как энергия в импульсе меньше порога плавления) и ударная кристаллизация (ускоренная кристаллизация в твердой фазе).
Приведён характер изменения концентрации дырок в пленках Вi2SbxTe3 при g-облучение (источник Со60, интенсивность 103Р/с) в свежеосажденных плёнках и плёнке, предварительно отожженной на воздухе при 420 К в течении 3 часов, у которой концентрация дырок до отжига совпадала с исходной концентрацией дырок.
Были отмечены следующие закономерности:
1. В образцах с исходными значениями концентрации дырок р ~ 8 1018см-3, g – облучение приводит к их монотоннному увеличению с выходом при Фg> 108Р на насыщение (кривая 1); при 1019 <p <(2—4) x 1019 см-3 концентрация дырок при облучении уменьшается. При Фg»108 Р наблюдается незначительное увеличение и в дальнейшем принимает постоянное значение (кривая 2). Постоянному значению в обоих случаях соответствует одна и та же концентрация дырок р» 9 х 1018 см-3 (штриховая линия на рисунке).
2. При р> 5х1019 см-3 с ростом Фg наблюдается уменьшение концентрации со снижением интенсивности процесса по мере увеличения Фg (кривая 3); в таких же плёнках после термоотжига, приводящего к уменьшению концентрации, процесс снижения концентрации с ростом Фg также замедляется.
Для объяснения наблюдаемых явлений необходимо принять следующее. В технологических режимах, обеспечивающих высокую концентрацию дырок, наряду с антиструктурными дефектами в плёнках образуются вакансии теллура [3]. При g-облучении за изменения в концентрации дырок ответственны два прцесса:
а) радиационно-стимулированная диффузия антиструктурных атомов по вакансаниям с вытеснением последних на стоки – границы кристаллитов и дислокации;
б) вытеснение атомов теллура в междоузлия.
Интенсивность первого процесса пропорциональна концентрации вакансий и энергетически выгодней относительно второго процесса. Первый процесс сопровождается уменьшением числа акцепторов, а второй – увеличением, поэтому в зависимости от исходной концентрации вакансий теллура в плёнках и возможны два типа изменений в концентрации дырок при g-облучение, что наблюдается экспериментально. Выход зависимости р (Фg) на насыщение соответствует установлению равновесия в протекании обоих процессов.
Список использованной литературы
1. К.Э.Онаркулов, М.М.Ахмедов, Д.А.Юсупова, Р. Т. Расулов, Б. Дулиев Кинетические
