solid solutions are formed, D and Δd/d decrease. This situation is possible if the ionic radii of the substituted ion and the substituent are approximately equal.
Fig. 1. Dependencies of the unit cell parameters of the hexagonal and orthorhombic phases (a), the sizes D and the microstrains Δd/d (b) of the
In our case, this condition is met. The linear parameters of unit cells in the two phases increasing with x is a characteristic of the two phases coexistence region (x=0.6—0.8). In the orthorhombic phase, the parameters bo and ao that decrease as x→1.0 and increase as x increases. In this phase, the changes in D and Δd/d have a general trend.
References
1. S.L. Samal, T. Magdaleno, K.V. Ramanujachary, S.E. Lofland, A.K. Ganguli, J. Solid State Chem. 183, 643 (2010)
2. G. Qiang, Y. Fang, X.Lu, S.Cao, J. Zhang, Appl. Phys. Lett. 108, 022906 (2016)
3. Y. Yun, A. S. Thind, Y. Yin, H.Liu, Q.Li, W. Wang, A.T. N’Diaye, C. Mellinger, X. Jiang, R. Mishra, and X. Xu, SSRN Electron. J. (2021).
4. L.J. Downie, R.J. Goff, W. Kockelmann, S.D. Forder, J.E. Parker, F.D. Morrison, P. Lightfoot, J. Solid State Chem. 190, 52 (2012)
5. Kamaludin Abdulvakhido· Zhengyou Li Bashir Abdulvakhidov · Alexander Soldatov Structure phase state and physical properties of YbMn1-xFexO3 compositions; Applied Physics A (2023) 129:185 https://doi.org/10.1007/s00339-023-06469-506469-5
ЭФФЕКТИВНОЕ ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА СПЕКТРАЛЬНОЙ ФОТОЧУВСТИТЕЛЬНОСТИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК p-CdTe С ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ УРОВНЯМИ
УДК 621.315.593
Ш. Абдуллаев.,С.М.Отажонов.,Н.Э.Алимов., К. Ботиров., Н. Юнусов
Ферганский Государственный Университет
Аннотация
В работе изучено спектры тока короткого замыкания в структуре p-CdTe-SiO2-Si в зависимости от величины внешнего воздействия. Наблюдается смешение спектров в коротковолновую область, вследствие чего в этих структурах изменяются энергии оптической активации глубокого уровня (эффекта Пула-Френкеля). Предлагается модель для распределения потенциала деформирующий пространственное и энергетическое распределения носителя.
Ключевые слова: спектры тока короткого замыкания, фоточувстительность, гетероструктура, тонкая пленка.
Введение
Интенсивное развитие микро – и нано электроники, новых технологических возможностей изготовления сложных твердотельных низкоразмерных структур, стимулируют разработки новых неразрушающих диагностических методами. Создания оригинальных оптоэлектронных устройств стимулируютдальнейшее изучение новых оптических и фотоэлектрических явлений в активных пленочных элементах. [1]
Полупроводниковые плёнки CdTe являются важным материалом для создания фотоприёмных устройств на основе их гетероструктур, работающих в ближнем (0,4 – 3 мкм) и дальнем (8 – 14 мкм) инфракрасных диапазонах [2—4]. Актуальной является также проблема получения гетероструктур на основе фоточувствительных слоев со слоями разного типа проводимости и зонной структурой в процессе выращивания высокотемпературным термическим испарением. В частности, перспективной примесью для получения материалаp-типа является серебро и медь [7].
В данной работе исследовано внутренней структуры и новых фотоэлектрических свойств активных тонких плёнок CdTe с глубокими примесными уровнями и их гетероструктур в условиях внешних воздействий.
Методика
В работе изучены низко размерные (размеры кристаллических зерен составляет 0,05—0,1мкм) тонкие пленки p-CdTe полученные на SiO2-Si. Разработано технология получения тонких пленок и пленочных структур на основе CdTe и установлены оптимальные параметры технологии получения этих пленочных элементов [1].Полупроводниковый материал CdTe и примеси Ag, Cu наносились в вакууме 10—5 мм. рт. ст. из отдельного алундового тигля на окислённую поверхность кремния легированной бором, прогретую 500 – 520 К, толщина плёнок
