наблюдается смещение спектров в коротковолновую область (рис.1).
Рис.1.Спектральные зависимости Iкз для структуры CdTe-SiO2-Si от величины потенциала коронного разряда: jкр =80 В (кривая 1), 50 В (2),0 В (3).
Следует отметить, что при коронном разряде наблюдается явное изменение энергии активации глубокого уровня (0,7 эВ, 1,15 эВ) в зависимости от потенциала коронного разряда. Это показывает, что уровень находиться в области объемного заряда, у слоя SiO2
Конец ознакомительного фрагмента.
Текст предоставлен ООО «Литрес».
Прочитайте эту книгу целиком, купив полную легальную версию на Литрес.
Безопасно оплатить книгу можно банковской картой Visa, MasterCard, Maestro, со счета мобильного телефона, с платежного терминала, в салоне МТС или Связной, через PayPal, WebMoney, Яндекс.Деньги, QIWI Кошелек, бонусными картами или другим удобным Вам способом.
