получения новых полезных свойств путем управления расположением атомов и электронов, из которых состоят эти твердые тела».
Все директивные документы ЦК КПСС и Совмина СССР о создании научной, опытно-конструкторской и производственной базы полупроводниковой электроники имеют гриф ограничения доступа. Чаще всего в «ветеранской историографии» упоминается постановление № 78/27сс от 24 января 1961 г. «О развитии полупроводниковой техники». Документ не «рассекречен» и не опубликован, но из контрольных цифр 7-летнего (1959–1965 гг.) плана развития народного хозяйства СССР, например, известно, что в электронной промышленности «до 1965 года должно быть закончено строительство и реконструкция 81-го предприятия и запроектировано 119 предприятий».[70]
Основным катализатором развития отечественной полупроводниковой электроники были военные программы. Так, по словам профессора Ю. Р. Носова, «полупроводниковая инфракрасная техника все эффективнее демонстрировала нашим военным «чудодейственные возможности», необходимые для создания тепловых головок самонаведения зенитных ракет и приборов ночного видения». Этот же автор утверждает: «Подобно тому, как «битву за Британию» (1940) выиграли радары, окончание Вьетнамской войны и Парижский мир (1973) обеспечили тепловизоры: к ним не сумели подобрать противодействие, аналогично тому, как это было сделано в отношении радаров, и американские ВВС начали нести слишком значительные потери».[71]
Важным аспектом истории становления отечественной полупроводниковой электроники является состояние металлургической базы производства германия и кремния. К сожалению, на эту тему вообще нет никаких опубликованных данных. Отрывочные сведения содержатся в аналитических обзорах ГКНТ СССР. Например, в обзоре «Основные направления технического прогресса народного хозяйства РСФСР на период до 1980 г. Цветная металлургия» от 18 мая 1961 г. сообщается:
«…Из-за отсутствия развития производства редких металлов тормозится внедрение новой техники в ряде важнейших отраслей народного хозяйства (выпуск жаропрочных и легких сплавов, полупроводниковых приборов и других изделий особого назначения)».[72]
Очень плохо обстоит дело с источниками по истории становления отечественной микроэлектроники. Между тем, для историографии данная тема является наиважнейшей. Пожалуй, ни одна из отраслей науки, техники и производства, кроме атомной промышленности, не предъявляла Советскому Союзу столь же экономически затратных и жестких технических требований по ее созданию и развитию, как микроэлектроника. На ней же (микроэлектронике) Советский Союз, надо понимать, и запнулся, не найдя необходимых средств и ресурсов для поддержания невероятно высоких темпов научно-технического прогресса и соответствующих капиталовложений.
Все основные директивные документы ЦК КПСС и Совмина СССР по созданию научной и производственной базы микроэлектроники имеют гриф ограничения допуска. Чаще всего в «ветеранской историографии» упоминается постановление № 831–353
РГАЭ. Ф. 378. Оп. 2. Д. 72. Л. 98.
Носов Ю. Р. США и новейшая история электроники // США/Канада. 2003. № 9. С. 87–98.
РГАСПИ. Ф. 556. Оп. 21. Д. 369. Л. 71.
