удерживать кристаллы алмазов в течение ОВ (во время работы инструмента) в пределах ОЗ (окружение кристалла алмаза, соприкосновение кристалла и основы), не мешая кристаллам находиться вплотную.
ШАГ 3.3. Формулировка ФП на макроуровне.
Физическое противоречие (ФП):
Кристаллы алмазов должны находиться вплотную друг к другу, чтобы обеспечить максимальную площадь алмазного инструмента, и не должны находиться вплотную, чтобы хорошо удерживаться в инструменте.
ШАГ 3.4. Формулировка ФП на микроуровне.
Частички основы должны находиться между кристаллами, чтобы удерживать их в основе, и не должны находиться между кристаллами, чтобы обеспечить максимальную площадь алмазного инструмента.
ШАГ 3.5. Формулировка ИКР-2.
Зона между кристаллами во время работы алмазного инструмента должна сама удерживать кристаллы в основе.
Приходим к выводу, что основы между кристаллами быть не должно («отсутствующая» основа).
ШАГ 3.6. Применение стандартов.
Для измененной ситуации представим вепольную модель исходной ситуации.
где
В1 – алмазные кристаллы;
В2 – «отсутствующая» основа (связующий материал);
П – адгезия.
«Отсутствующий» связующий материал (В2) делает максимальной площадь алмазов (В1) – прямая стрелка.
«Отсутствующий» связующий материал (В2) не удерживает алмазы (В1) – волнистая стрелка.
Применение стандарта 1.2.1 (класс 1.2. Разрушение веполей), где для разрушения вредного действия между веществами необходимо добавить вещество (В3), которое увеличит общую площадь алмазов (В1).
В качестве В3 нужно использовать материал, который удерживает алмазы.
где
В1 – алмазные кристаллы;
В2 – «отсутствующий» связующий материал;
П – адгезия;
В3 – икс-элемент.
Часть 4. Мобилизация и применение ВПР
ШАГ 4.1 Применение ММЧ.
Маленькие человечки должны пробраться в кристалл (в полости и трещины кристалла) и удерживаться за основу (рис. 3).
Рис. 3. ММЧ
ШАГ 4.2. Шаг назад от ИКР.
1. ИКР.
Кристаллы расположены вплотную и не выкрашиваются при работе.
2. Шаг назад от ИКР.
Кристаллы на микрон отстают друг от друга.
3. Как теперь достичь ИКР.
В это минимальное расстояние помещается что-то, что прекрасно заполняет микротрещины и микрополости кристалла и входит в основу так, что кристаллы и основа становятся
