style="font-size:15px;"> Один из специалистов НИИ, руководитель химической лаборатории особо чистых веществ, которые и использовались для производства полупроводниковых пленок, мне рекомендовал для выполнения ОКР активнее использовать статистические методы анализа брака. Но мы пошли другим путем.
Дело в том, что изготовить полупроводниковые слои на имеющемся оборудовании «точно какие нужно» было действительно очень сложной задачей, на уровне искусства инженеров и операторов, занимающихся выращиванием этих слоев. А вот вырастить полупроводниковые пленки с высоколегированным слоем (большим количеством электронов) чуть толще, чем надо, даже на имеющемся оборудовании не представляло особых проблем. Понятно, что в таком случае все эти полупроводниковые пластины переходили автоматически в разряд брака.
Однако в то время нами уже была отработана технология анодного окисления наших полупроводниковых пленок, которая позволяла с очень высокой точностью удалять лишние слои. Причем настолько точная, что теоретически можно было утоньшать полупроводниковую пленку даже на уровне одного монослоя (это как раз и есть нанотехнология, только не выращивания, а удаления).
В результате, в конце годовой ОКР, когда технология была отработана, из десяти пластин годными оказывались не четыре, как планировалось по требованиям работы, а все 10. К слову, руководитель лаборатории меня уговорил сдать работу по требованиям технического задания – чтобы иметь возможность нивелировать любые проблемы некачественного оборудования для выращивания эпитаксиальных слоев. Мы так и сделали, но пока я работал, не помню, чтобы такой запас потребовался – после необходимой обработки пластины становились годными все.
Это был не единственный случай в моей практике, когда, применяя не очень качественное оборудование, мы добивались качественных результатов: «голь на выдумки хитра».
Возникает вопрос: а что же наши западные коллеги, как они решали эту проблему – ведь у них также изготавливали точно такие же диоды из таких же полупроводниковых пленок как и в нашем НИИ? У западных коллег описанной проблемы не возникало по следующей причине. Наше оборудование (эпитаксиальная установка в нашем НИИ) изготавливалось в единичном экземпляре, и потому устранить возникшие огрехи не позволял недостаточный опыт производства оборудования малыми сериями. А у западных коллег такое оборудование производилось специализированными компаниями, имевшими устойчивый спрос. И потому качество такого оборудования позволяло изготавливать нужные эпитаксиальные слои с высокой точностью.
Отмечу, что дело «не в уме» – наши специалисты не глупее западных, а дело в организации производства, в данном случае производства специального оборудования.
Критически настроенный читатель спросит: «А какое отношение описанный пример имеет к стартапам?».
